1、如图5—75所示,将万用表置于“R×lOk”挡,测量RcD和RGs,将万用表红黑表笔接在VMOS场效应晶体管的任意一个引脚上,所测的电阻值均为无穷大。若所测的电阻值不为无穷大,则说明栅极(G)与另外两电极问存在漏电现象。

2、对于N沟道VMOS场效应晶体管可按以下方法判断其性能好坏:

①将被测N沟道VMOS场效应晶体管的栅极(G)与源极(S)用镊子短接一下,然后将万用表置于“R X l k”挡,红表笔接漏极(D)、黑表笔接源极(S)测电阻值。正常时电阻值应为数千欧。

②用导线短接被测N沟道VMOS场效应晶体管的栅极(G)与源极(S),然后将万用表置于“R X lok”挡,黑表笔接漏极(D)、红表笔接源极(S)测电阻值。正常时电阻值应接近无穷大。若不是,则说明N沟道V1ⅥOS场效应晶体管内部PN结的反向特性比较差。

注意,VMOS场效应晶体管亦分N沟道场效应晶体管与P沟道场效应晶体管,但绝大多数产品属于N沟道场效应晶体管。对于P沟道场效应晶体管,测量时应交换表笔的位置。

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