功率场效应晶体管与利用基极小电流控制集电极大电流的双极型功率晶体管不同,主要依靠栅极(G)电压的高低来控制漏极(D)和源极(S)间导电沟道的电导,实现对漏极电流的控制,故是一种电压控制电流的器件。另外,由于导电沟道中的电流仅仅只有一种载流子(带负电的电子或带正电的空穴),所以也称单极型器件。载流子是电子的导电沟道,称n 沟道;载流子是空穴的导电沟道,称 p 沟道。栅极是 PN 结构成的器件,称结型场效应器件(JFET:Junction Type Field Effect Transistor) ;栅极以金属-氧化物-半导体结构构成的器件,称 MOS 场效应器件(MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)。

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