测量大功率晶体管的饱和压降判别晶体管性能的好坏

1)测量集电极(C)与发射极(E)之间的饱和压降V_CES。将万用表置于直流10V电压挡,然后按图5—55所示连接好电路(其中E为12V直流电源,R1、R2分别为20Ω/5W、200Ω/0.25 W电阻器)。测试条件,I_C为600mA、I_B为60mA。对于PNP型大功率晶体管,将万用表按图5—55 a连接,即可测出V_CES;对于NPN型大功率晶体管,将万用表按图5—55b连接,即可测出V_CES。

2)测量基极(B)与发射极(E)之间的饱和压降V_BES。测试电路如图5—55所不,对于PNP型大功率晶体管,红表笔接发射极,黑表笔接B测试点,即可测出V_BES;对于NPN型大功率晶体管,黑表笔接发射极,红表笔接B测试点,即可测出V_BES。

在测量V_CES和V_BES时,如果被测大功率晶体管的h_FE小于或等于10,无法达到饱和状态,则不能用上述方法进行测试。

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