一个60W、1.0GHz、28V的FET射频功率放大器电路和PCB设计实例如图I 1—64所示。MRFl84是一个线性N沟道宽带射频功率MOSFET,其电源电压为28V.输出功率为60W.功率增益为1 1.5dB,效率为53%,VSWR为5:1(@28Vdc,945MHz.60W.CW)。

 图中,印制电路板材料采用1/32”玻璃聚四氟乙烯(Glass Teflon),ε=2.55,型号为ARLON-Gx-0300-55-22,TLl~TL4微带线(Microstrip Line),其尺寸和形状见印制电路板图.Bl为射频磁珠。电感线圈L1采用20A WG IDLA 0.126”导线绕5圈。PCB底层为接地平面。

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